MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR
- 制造厂商：Micron（中文名：美光科技）
- 类别封装：存储器，产品封装：376-WFBGA
- 技术参数：IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA
- （专注销售Micron电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
- （您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR参数详情：
在追求极致性能与能效平衡的移动计算时代，您是否正在寻找一款能够承载海量数据、同时保持冷静高效运行的存储核心？答案或许就藏在MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR这颗闪耀的明星之中。作为美光科技LPDDR4移动内存家族的杰出代表，它不仅仅是一个组件，更是您产品实现性能飞跃、赢得市场先机的关键引擎。其高达64Gb的磅礴容量与2133MHz的疾速时钟频率，如同为设备注入了澎湃动力，让多任务处理如行云流水，大型应用加载瞬间完成，为用户带来“所想即所得”的畅快体验。
想象一下，搭载了这颗芯片的旗舰智能手机，能够毫无迟滞地处理4K视频剪辑与实时渲染；高端平板电脑在运行复杂创意软件时依然响应灵敏、续航持久；而新兴的AR/VR设备则能依靠其高带宽与低功耗特性，呈现稳定流畅的沉浸式世界。它同样能赋能于车载信息娱乐系统、工业级平板以及各类需要高性能移动计算的边缘设备，在-30°C至85°C的宽温范围内稳定工作，确保在各种严苛环境下都值得信赖。选择它，就是为您的产品选择了一个全天候、全场景的可靠伙伴。
那么，为何MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR能从众多选项中脱颖而出？其核心价值在于美光科技顶尖的工艺与设计，实现了性能、容量与功耗的黄金三角。1.1V的低工作电压显著降低了系统整体能耗，直接转化为更长的电池续航时间，这对于移动设备而言是无可替代的竞争优势。采用376球WFBGA封装，在极小的空间内集成了巨大能量，为您的产品设计提供了极高的灵活性与紧凑度。当您致力于打造下一代智能终端时，这颗芯片所提供的不仅仅是参数上的领先，更是用户体验层面的全面升级。我们作为值得信赖的美光代理商，不仅提供原装正品保障，更能为您提供专业的技术支持与供应链服务，确保您的创新想法能够高效、稳妥地转化为市场领先的产品。立即行动，让MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR成为您产品征服市场的秘密武器。
- 制造商产品型号：MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 存储器类型：易失
- 存储器格式：DRAM
- 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量：64Gb（1G x 64）
- 存储器接口：-
- 时钟频率：2133MHz
- 写周期时间-字，页：-
- 访问时间：-
- 电压-供电：1.1V
- 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：376-WFBGA
- MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR的官网价格：703.24093，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
