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MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR供应商
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MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:存储器,产品封装:432-VFBGA
- 技术参数:IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 432VFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR参数详情:
在追求极致性能的移动设备与嵌入式系统中,您是否曾为内存带宽的瓶颈而困扰?当应用需要处理海量数据、渲染复杂图形或运行多任务时,缓慢的响应和卡顿往往源于内存速度的不足。现在,这一切都将被重新定义。我们隆重推出MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR,这颗来自美光科技的尖端移动LPDDR4 DRAM芯片,正是为打破性能壁垒而生。它以高达2133MHz的时钟频率和64Gb的超大容量,为您带来前所未有的数据吞吐体验,让您的产品在激烈的市场竞争中,凭借流畅、迅捷的响应脱颖而出。
想象一下,在下一代旗舰智能手机上,无论是拍摄8K超高清视频,还是运行大型3D游戏,系统都能游刃有余,瞬间加载,画面丝滑流畅。在高端平板电脑、二合一设备以及需要强大边缘计算能力的AIoT设备中,这颗芯片能够轻松应对多任务并行处理、实时数据分析等高负载场景。它不仅仅是一颗存储器,更是设备流畅体验的“高速公路”,确保每一个指令都能被迅速执行,每一个像素都能被精准渲染。其宽广的-30°C至85°C工作温度范围,更是为严苛的工业环境与户外应用提供了坚实的可靠性保障。
选择MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR,就是选择与行业领导者同行。美光科技在存储领域的深厚积淀,确保了这颗芯片在性能、功耗与稳定性上的卓越平衡。其1.1V的低工作电压设计,在提供澎湃动力的同时,有效控制了能耗,延长了移动设备的续航时间。采用紧凑的432-VFBGA封装,非常适合空间受限的现代超薄设备设计。更重要的是,通过我们值得信赖的美光中国代理,您不仅能获得原装正品保障和稳定的供货支持,还能得到专业的技术选型建议与高效的本地化服务,让您的产品开发之旅更加顺畅无忧。立即行动,让这颗强大的“数据引擎”为您的创新注入无限动能!
- 制造商产品型号:MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 432VFBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:64Gb(1G x 64)
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2133MHz
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:1.1V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:432-VFBGA
- MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR的官网价格:有源,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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