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MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 技术参数:IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR参数详情:

在追求极致性能与能效平衡的移动设备设计中,您是否曾为寻找一颗既能提供澎湃动力,又能保持冷静续航的内存解决方案而困扰?今天,我们为您带来一个经过市场验证的卓越答案MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR。这颗来自美光科技的16Gb LPDDR4移动DRAM,以其1866MHz的高频速度和1.1V的低工作电压,完美诠释了何为“高性能低功耗”的典范。它不仅仅是一颗存储器,更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的能量核心,能够瞬间提升系统响应速度,同时显著延长电池使用时间,让用户体验从“够用”跃升至“畅快”。

想象一下,搭载了这颗芯片的旗舰智能手机,无论是运行大型游戏还是进行多任务处理,都能如丝般顺滑,毫无卡顿;在高端平板电脑或二合一设备中,它能轻松应对4K视频编辑和复杂图形渲染,释放创意生产力;即便在严苛的工业自动化或车载信息娱乐系统中,其宽广的-30°C至85°C工作温度范围也能确保稳定可靠的运行。它专为那些对性能、能效和可靠性有极致要求的应用场景而生,是驱动下一代智能设备流畅体验的隐形引擎。选择它,就是为您的产品注入了美光领先的存储技术基因。

那么,为何众多领先厂商在关键项目中持续信赖并选择这款芯片?答案在于其无可替代的综合价值。首先,16Gb(512M x 32)的大容量与1866MHz的高带宽组合,提供了充足的数据吞吐空间,彻底告别内存瓶颈。其次,Mobile LPDDR4技术结合1.1V低电压设计,在性能飙升的同时,功耗却大幅降低,直接助力终端产品获得更长的续航表现。再者,200-WFBGA的紧凑封装非常适合空间受限的现代移动设备设计,帮助您实现更轻薄、更时尚的产品形态。尽管该型号已进入停产状态,但其成熟稳定的表现使其在特定市场和延续性项目中依然拥有巨大需求与价值。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持,我们建议您通过可靠的美光中国代理进行采购,这不仅是品质的保障,更是项目顺利推进的坚实后盾。选择MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR,就是选择了一个经过时间考验的高性能解决方案,让您的产品在体验上始终快人一步。

  • 型号:MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb
  • 存储器组织:512M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR的官网价格:2000:$15.39119,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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