MT49H8M36SJ-TI:B

在追求极致性能与稳定性的道路上，您的下一代设备是否正面临内存带宽的瓶颈？想象一下，当数据洪流汹涌而至，系统响应却因内存读写速度而迟滞，这无疑会严重影响用户体验与产品竞争力。现在，我们为您带来一个经过市场验证的可靠解决方案MT49H8M36SJ-TI:B，这颗源自美光科技的288Mb并行DRAM，正是为应对此类挑战而生。它不仅仅是一颗存储器，更是您设备流畅运行的“高速缓存心脏”，以其卓越的并行接口和稳定的1.8V核心供电，为数据吞吐提供澎湃动力，让系统性能跃升一个台阶。

无论是工业自动化中要求严苛的控制器、网络通信设备的核心交换模块，还是需要持续高速数据处理的嵌入式系统，MT49H8M36SJ-TI:B都能完美融入。其8M x 36的宽位架构，特别适合需要处理大量并行数据流的应用场景，能显著提升图形处理、实时信号分析等任务的效率。在0°C至95°C的宽温范围内稳定工作，确保了即使在恶劣环境下，您的设备依然能保持可靠性与连续性，这对于保障关键业务运行至关重要。选择它，就是为您的产品注入了经久耐用的基因。

那么，为何在众多存储方案中独选它？答案在于其无可替代的价值与成熟的供应链保障。作为一款经典型号，它经过了长期、广泛的市场应用验证，技术成熟度高，风险极低。虽然产品状态标注为“停产”，但通过可靠的美光中国代理渠道，您依然可以获得稳定、有保障的货源，这对于需要长期维护和生产的项目而言，意味着供应链的确定性与安全性。其144-TFBGA的紧凑封装，帮助您优化PCB板空间布局，实现更精巧的产品设计。归根结底，选择MT49H8M36SJ-TI:B，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一份历经考验的可靠承诺，一个能助力您产品在市场中稳健前行的强大伙伴。

• 型号:MT49H8M36SJ-TI:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H8M36SJ-TI:B的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。