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MT49H8M36SJ-25E:B供应商
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MT49H8M36SJ-25E:B
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:144-FBGA(18.5x11)
- 技术参数:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT49H8M36SJ-25E:B参数详情:
在追求极致性能与稳定性的数字世界里,您是否曾为寻找一颗能够承载高速数据洪流、同时保持精准时序与超低功耗的存储核心而困扰?今天,我们为您带来一个令人振奋的答案MT49H8M36SJ-25E:B。这颗来自美光科技的288Mb并行DRAM,不仅仅是一颗存储器,更是您构建高性能系统的坚实基石。它以400MHz的高频运作和仅15ns的快速访问时间,瞬间响应每一次数据请求,让您的设备告别延迟与卡顿,流畅运行如同行云流水。
想象一下,在工业自动化控制系统中,海量的传感器数据需要被实时采集、分析与反馈;在网络通信设备的核心交换板上,数据包必须以惊人的速度被处理和转发;在高端医疗影像设备中,高清的图像数据需要被瞬间存取以确保诊断的即时与准确。这些对数据吞吐量和时序一致性要求严苛的场景,正是MT49H8M36SJ-25E:B大展身手的舞台。它1.7V至1.9V的低电压供电设计,在提供澎湃动力的同时,显著优化了整体系统的能耗表现,尤其适合那些需要7x24小时不间断运行、对可靠性与能效比有双重追求的应用。
选择MT49H8M36SJ-25E:B,意味着您选择了一种经过市场验证的卓越品质。美光科技作为全球存储解决方案的领导者,其产品以高可靠性和一致性著称。这颗芯片采用先进的144-TFBGA封装,紧凑的尺寸非常适合高密度PCB板设计,帮助您节省宝贵的空间。其0°C至95°C的宽工作温度范围,确保了从温和的室内环境到严苛的工业现场,它都能稳定如一。当您决定将这颗高性能DRAM集成到您的下一代产品中时,选择一家可靠的美光代理商至关重要,他们将为您提供从选型支持到稳定供货的全链路服务,让您的创新之路畅通无阻。拥抱MT49H8M36SJ-25E:B,就是拥抱更高效、更可靠、更具竞争力的未来。
- 型号:MT49H8M36SJ-25E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-FBGA(18.5x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:8M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-FBGA(18.5x11)
- MT49H8M36SJ-25E:B的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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