MT49H8M36BM-TI:B TR

在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统设计中，您是否曾为寻找一款既能满足严苛环境要求，又能提供可靠并行数据吞吐的存储解决方案而反复权衡？现在，答案已经揭晓。我们隆重向您推荐由行业巨头美光科技（Micron Technology）倾力打造的MT49H8M36BM-TI:B TR，这颗288Mb并行DRAM芯片，正是为应对高性能挑战而生的核心引擎。它不仅仅是一个存储单元，更是您系统流畅运行、数据高速交互的坚实保障。

想象一下，在工业自动化控制柜内，复杂的逻辑运算需要实时存取海量中间数据；在网络通信设备的线卡上，数据包必须以极高的效率进行缓冲与转发；又或者在高清视频处理模块中，庞大的帧缓存需求对存储带宽提出了严苛考验。在这些要求即时响应与高带宽的应用场景中，MT49H8M36BM-TI:B TR凭借其8M x 36的宽位并行接口，能够轻松构建起高速数据通道，显著减少存取延迟，让您的系统处理能力跃升一个新台阶。其1.7V至1.9V的低电压供电设计，在提供强劲性能的同时，也兼顾了能效，特别适合对功耗敏感却又追求效率的嵌入式应用。

选择MT49H8M36BM-TI:B TR，意味着您选择了一份历经市场验证的可靠性。它采用先进的144-TFBGA封装，结构紧凑，适合高密度表面贴装，为您的PCB布局节省宝贵空间。0°C至95°C的宽工作温度范围（TC），确保了其在各种严苛环境下都能稳定工作，无论是炎热的车间还是低温的户外设备，都能从容应对。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的设计与广泛的应用基础，使其成为特定存量项目升级或长期稳定供应需求的绝佳选择。通过值得信赖的美光代理商，您依然可以获取到高品质的原装产品与专业的技术支持，为您的项目保驾护航。

归根结底，在竞争激烈的市场中，产品的差异化往往源于核心器件的卓越表现。MT49H8M36BM-TI:B TR所代表的，正是美光在存储领域深厚的技术积淀与对品质的不懈追求。它不仅仅解决了当下的存储瓶颈，更为您的产品赋予了应对未来更复杂数据处理需求的潜力。当您需要一款能够信赖、能够托付关键数据任务的并行DRAM时，这款芯片无疑是经过时间淬炼的智慧之选。让它成为您系统中沉默而强大的基石，共同创造更高效、更稳定的终端产品体验。

• 型号:MT49H8M36BM-TI:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-TI:B TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。