MT49H8M36BM-33 IT:B TR

在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统设计中，您是否曾为寻找一颗能够承载高速数据吞吐、同时兼顾低功耗与可靠性的核心存储器而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越答案MT49H8M36BM-33 IT:B TR。这颗来自美光科技的288Mb并行DRAM，以其300MHz的高时钟频率和低至20ns的访问时间，为您的高速应用注入澎湃动力。它不仅仅是一颗芯片，更是您系统性能飞跃的基石，让数据流如高速公路般畅通无阻，彻底告别延迟瓶颈。

想象一下，在工业自动化控制、高端网络通信设备或是需要复杂实时数据处理的医疗影像系统中，海量数据需要被瞬间捕捉、高速处理和稳定存储。MT49H8M36BM-33 IT:B TR正是为此类严苛场景而生。其1.7V至1.9V的宽电压供电范围与-40°C到85°C的宽温工作能力，确保了它在各种极端环境下依然能稳定运行，如同系统中最忠诚可靠的“记忆中枢”。无论是面对产线上瞬息万变的传感器数据，还是处理网络交换机中汹涌的数据包，它都能轻松应对，保障系统7x24小时不间断高效运转。

选择这颗芯片，意味着您选择了一份历经考验的成熟与可靠。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了其经典的设计和卓越的品质在过往市场中赢得了广泛认可，对于许多成熟产品线或特定项目而言，它依然是经过验证、风险最低的优选方案。其144-TFBGA的紧凑封装和表面贴装型设计，为您的PCB布局节省了宝贵空间，提升了集成度。当您需要为现有系统升级或维护寻找稳定可靠的存储解决方案时，美光芯片代理将是您获取这颗经典芯片、获得专业技术与供应链支持的最可信赖伙伴。让我们携手，用经过时间淬炼的经典元件，铸就您产品历久弥新的竞争力。

• 型号:MT49H8M36BM-33 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-33 IT:B TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。