MT49H8M36BM-33 IT:B

在追求极致性能的嵌入式系统中，您是否曾为内存带宽瓶颈而困扰？当数据洪流需要高速吞吐时，MT49H8M36BM-33 IT:B的出现，正是为了打破这一僵局。这颗来自美光科技的288Mb并行DRAM，以其300MHz的高时钟频率和仅20ns的访问时间，为您的高速应用注入澎湃动力。它不仅仅是一颗存储芯片，更是系统流畅运行的加速引擎，让数据交换如行云流水，彻底释放处理器的潜在算力。

想象一下，在工业自动化控制、高性能网络通信设备或是需要复杂实时数据处理的医疗影像系统中，海量数据的实时读写容不得半点延迟。MT49H8M36BM-33 IT:B凭借其8M x 36的宽位架构和并联接口，能够轻松应对这些严苛场景。它就像一位不知疲倦的高速信使，在系统内部构建起一条宽阔的数据高速公路，确保指令与数据能够第一时间抵达目的地，从而保障整个系统的响应速度和稳定性。无论是边缘计算网关需要瞬间处理多路传感器信息，还是高端测试测量设备要求极高的数据采集速率，它都能游刃有余，成为系统可靠性的坚实基石。

选择MT49H8M36BM-33 IT:B，意味着您选择了一个经过市场验证的高性能解决方案。其1.7V至1.9V的低工作电压范围，不仅有助于降低系统整体功耗，更体现了对能效比的精细考量。宽达-40°C至85°C的工作温度范围，则确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作，从炎热的车间到寒冷的户外，性能始终如一。对于寻求可靠元件库存的工程师而言，通过值得信赖的美光代理商获取此型号，是保障项目连续性与供应链安全的重要一环。这颗芯片所代表的，是美光在存储技术领域的深厚积淀，它将帮助您的产品在激烈的市场竞争中，凭借卓越的数据处理能力脱颖而出，赢得先机。

• 型号:MT49H8M36BM-33 IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-33 IT:B的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。