MT49H8M36BM-33:B TR

在追求极致性能的嵌入式系统设计中，您是否曾为寻找一款既能提供稳定高速数据吞吐，又能兼顾功耗与可靠性的存储解决方案而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典答案MT49H8M36BM-33:B TR。这款来自美光科技的288Mb并行DRAM，以其卓越的300MHz时钟频率和低至20ns的访问时间，能够瞬间点燃您系统的数据处理潜能，让海量信息流转如飞，彻底告别性能瓶颈。

想象一下，在工业自动化控制的核心、在高清视频处理的前沿、或在需要实时响应的网络通信设备中，数据的稳定与速度就是生命线。MT49H8M36BM-33:B TR正是为这些严苛场景而生。它1.7V至1.9V的低电压供电范围，不仅显著降低了系统整体能耗，更在0°C至95°C的宽温范围内保持稳定运行，确保您的设备无论身处何种环境，都能表现出众，持久可靠。其144-TFBGA的紧凑封装，更为您的PCB布局节省了宝贵空间，让设计更灵活，集成度更高。

选择MT49H8M36BM-33:B TR，不仅仅是选择了一颗芯片，更是选择了一份历经考验的稳定与高效。尽管它已处于停产状态，但其成熟的工艺、出色的性能参数以及广泛的应用验证，使其成为诸多经典和特定延续性项目中最值得信赖的存储基石。当您需要为关键系统寻找一个不会掉链子的“记忆核心”时，它的价值便凸显无疑。我们作为专业的Micron代理商，深知经典元件对项目延续性的重要性，致力于为您提供可靠的供应渠道与技术支持，让您的创新设计无后顾之忧，全力驰骋在性能的巅峰。

• 型号:MT49H8M36BM-33:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-33:B TR的官网价格：1000:$19.01264，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。