MT49H8M36BM-33:B

在追求极致性能的嵌入式系统中，您是否曾为存储器的带宽瓶颈而困扰？当数据洪流需要高速吞吐时，MT49H8M36BM-33:B正是您期待已久的解决方案。这颗来自美光科技的288Mb并行DRAM，以其300MHz的高时钟频率和仅20ns的快速访问时间，为您的高速应用注入澎湃动力。它不仅仅是一颗存储器，更是您系统性能飞跃的关键引擎，让数据处理从此告别等待，实现真正的实时响应。

想象一下，在工业自动化控制的核心、高端网络通信设备的交换矩阵，或是需要复杂实时运算的医疗影像设备中，MT49H8M36BM-33:B正发挥着不可替代的作用。其8M x 36的宽位架构，配合并联接口，能够轻松应对大数据块的并行读写需求，确保视频流、传感器阵列数据或高速通信包的处理流畅无阻。在0°C至95°C的宽温范围内稳定工作，更让它能从容应对各种严苛环境，是您打造高可靠性产品的坚实后盾。

选择MT49H8M36BM-33:B，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。虽然它已处于停产状态，但其成熟的工艺和卓越的性能指标，使其成为许多经典和持续生产项目中最值得信赖的存储核心。通过可靠的美光一级代理渠道，您依然可以获得稳定供货与专业的技术支持，确保您的生产计划顺利进行，无需为元器件更迭带来的设计风险而担忧。这颗芯片所代表的，不仅是美光在存储技术领域的深厚积淀，更是您产品在激烈市场竞争中保持性能领先的智慧之选。

• 型号:MT49H8M36BM-33:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-33:B的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。