MT49H8M36BM-25E:B

在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统设计中，您是否曾为寻找一颗能够承载高速数据吞吐、同时保持卓越可靠性的核心存储芯片而反复权衡？答案或许就隐藏在MT49H8M36BM-25E:B这颗来自美光科技的经典之作中。它不仅仅是一颗288Mb容量的并行DRAM，更是您构建高性能、高响应度系统的坚实基石。其高达400MHz的时钟频率与15ns的快速访问时间，意味着数据能够以前所未有的速度在您的系统中流转，无论是处理复杂的实时计算，还是应对海量的数据缓冲，都能游刃有余，彻底释放您设计的潜能。

想象一下，在工业自动化控制的核心单元里，传感器数据如潮水般涌来，需要被瞬间捕捉、分析和响应；或在高端网络通信设备中，数据包需要被高速缓存和转发，确保信息传输的零延迟。MT49H8M36BM-25E:B正是为这些严苛场景而生。它1.7V至1.9V的低电压供电设计，在提供强劲性能的同时，也兼顾了能效，特别适合对功耗敏感的应用。其宽泛的0°C至95°C工作温度范围，确保了在恶劣环境下依然稳定运行，无论是炎热的工厂车间还是要求7x24小时不间断服务的通信机房，它都能成为您最值得信赖的数据伙伴。

选择MT49H8M36BM-25E:B，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。尽管其零件状态标注为停产，但这恰恰证明了它是一款历经考验、成熟稳定的经典型号，在大量现有系统和需要长期稳定供应的项目中拥有不可替代的价值。其8M x 36的并行接口架构，为系统设计提供了灵活高效的数据带宽。当您需要为关键项目寻找这颗性能标杆时，通过值得信赖的美光中国代理获取正品货源，是保障供应链稳定与产品品质的最佳途径。让这颗凝聚美光尖端存储技术的芯片，成为您下一代产品在速度、稳定与能效上全面领先的秘密武器。

• 型号:MT49H8M36BM-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-25E:B的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。