MT49H8M36BM-25:B TR

在追求极致性能与稳定性的存储解决方案时，您是否曾为寻找一颗能够承载高速数据洪流、确保系统流畅运行的核心存储器而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越答案MT49H8M36BM-25:B TR。这颗来自美光科技的288Mb并行DRAM，以其400MHz的高时钟频率和仅20ns的快速访问时间，如同为您的系统注入了一股强劲而稳定的动力源泉。它不仅仅是一个存储单元，更是提升整体性能、消除数据瓶颈的关键引擎，让您的设备在应对复杂任务时游刃有余，响应迅捷如电。

想象一下，在那些对实时性要求严苛的应用场景中，无论是工业自动化控制系统中需要毫秒级响应的指令处理，还是高端网络通信设备里海量数据包的快速交换与缓冲，甚至是某些需要持续可靠运行的遗留关键系统中，MT49H8M36BM-25:B TR都能稳稳地担当起数据中枢的重任。其1.7V至1.9V的低电压供电设计，在保障高性能的同时也兼顾了能效，而0°C至95°C的宽工作温度范围（TC），则确保了它在各种严峻环境下依然能保持稳定输出，这种坚韧与可靠，正是高端应用所孜孜以求的品质。

选择这颗芯片，意味着您选择了一个经过时间淬炼的成熟方案。尽管其零件状态标注为停产，但这恰恰证明了其经典的设计和卓越的可靠性已在众多实际项目中得到了长期验证，对于许多现有系统的维护、升级或特定批量化生产而言，它依然是值得信赖的优选。其8M x 36的存储结构（288Mb容量）与并行接口，为系统提供了宽阔的数据通道，特别适合那些需要高带宽数据吞吐的架构。当您需要为项目寻找一个性能与稳定兼备的存储核心时，MT49H8M36BM-25:B TR所代表的正是这种历经考验的价值。我们作为值得信赖的美光中国代理，不仅提供这颗优质芯片，更致力于为您提供专业的技术支持与可靠的供应链服务，帮助您将产品的潜能彻底释放。

在表面贴装型（144-TFBGA封装）的紧凑身躯内，蕴藏着驱动创新与保障稳定的强大力量。选择MT49H8M36BM-25:B TR，不仅是选择了一颗高性能DRAM，更是为您的产品选择了一份从容应对数据挑战的底气与保障。让我们携手，用这颗经典而强大的“心脏”，为您下一个成功项目奠定坚实的基础。

• 型号:MT49H8M36BM-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-25:B TR的官网价格：1000:$19.01264，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。