MT49H8M36BM-25:B

在追求极致性能的嵌入式系统设计中，您是否常常为存储器的带宽瓶颈而困扰？当数据洪流需要被高速吞吐时，一颗可靠的并行DRAM就是您系统流畅运行的基石。今天，我们向您隆重介绍MT49H8M36BM-25:B，这颗来自美光科技的288Mb并行DRAM，正是为应对严苛的数据处理挑战而生。它以高达400MHz的时钟频率和20ns的快速访问时间，为您的高速应用注入澎湃动力，确保每一个指令都能得到闪电般的响应。

想象一下，在工业自动化控制系统中，复杂的传感器数据需要被实时采集、分析和反馈；在网络通信设备中，海量的数据包必须被无延迟地缓存与转发；又或者在高端医疗影像设备里，庞大的图像数据需要被瞬间处理和呈现。MT49H8M36BM-25:B凭借其8M x 36的宽位架构和并联接口，能够轻松胜任这些对数据带宽和实时性要求极高的场景。它就像您系统中的一个高效、可靠的数据枢纽，确保信息流畅通无阻，让您的终端产品在激烈的市场竞争中始终保持领先的响应速度与稳定性。

选择MT49H8M36BM-25:B，您选择的不仅仅是一颗芯片，更是一份源自顶尖存储技术的承诺。其1.7V至1.9V的低电压供电设计，在提供强劲性能的同时，也兼顾了能效，特别适合对功耗敏感的应用。0°C至95°C的宽工作温度范围，赋予了它卓越的环境适应性，无论是温控严格的室内设备还是条件多变的户外装置，它都能稳定运行。更重要的是，通过我们美光授权代理，您将获得正品保障、可靠的技术支持以及灵活的供应链服务，让您的产品开发与量产之路更加安心、顺畅。立即将这颗高性能存储引擎集成到您的设计中，释放您系统的全部潜能！

• 型号:MT49H8M36BM-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-25:B的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。