MT49H64M9SJ-25E:B TR

在追求极致性能与稳定性的数字世界里，您的系统是否曾因内存带宽不足而遭遇瓶颈？想象一下，当数据洪流奔涌而至，一颗可靠、高效的内存芯片就是保障系统流畅运行的基石。今天，我们为您带来美光科技的经典力作MT49H64M9SJ-25E:B TR，这颗576Mb并行DRAM芯片，正是为应对严苛数据挑战而生的高性能解决方案。

它不仅仅是一颗存储芯片，更是系统性能的加速引擎。凭借高达400MHz的时钟频率和仅15ns的快速访问时间，它能瞬间响应处理器的每一次数据请求，让您的设备告别卡顿，实现行云流水般的操作体验。无论是工业自动化控制系统中实时处理海量传感器数据，还是高端网络设备里需要高速缓存与转发数据包，亦或是需要稳定可靠内存支撑的医疗影像设备，MT49H64M9SJ-25E:B TR都能凭借其并联接口带来的高带宽优势，轻松胜任。其1.7V至1.9V的低电压供电设计，在提供强劲性能的同时，也兼顾了能效，特别适合对功耗敏感的应用环境。

选择MT49H64M9SJ-25E:B TR，就是选择了一份源自美光科技的品质承诺。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、经过市场长期验证的可靠性，使其成为许多经典系统升级或维护的绝佳选择。它采用144-TFBGA封装，表面贴装工艺便于集成，0°C至95°C的宽工作温度范围确保了其在各种复杂环境下的稳定运行。当您需要为关键项目寻找值得信赖的内存核心时，与可靠的美光芯片代理合作，获取这颗经过时间淬炼的芯片，无疑是明智之举。它能无缝融入您的设计，以卓越的性能和稳定性，为您的产品价值提供坚实后盾，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:MT49H64M9SJ-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:64M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H64M9SJ-25E:B TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。