




MT49H64M9SJ-25E:B
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:144-FBGA(18.5x11)
- 技术参数:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
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MT49H64M9SJ-25E:B参数详情:
在追求极致性能的嵌入式系统中,您是否曾为寻找一款既能提供高速数据吞吐,又能保持稳定可靠的内存解决方案而困扰?今天,我们为您带来一个卓越的答案MT49H64M9SJ-25E:B。这款来自美光科技的576Mb并行DRAM,正是为应对严苛应用环境而生的性能引擎。它不仅仅是一颗存储芯片,更是您系统流畅运行、数据高速处理的坚实后盾,其高达400MHz的时钟频率和仅15ns的访问时间,意味着它能以闪电般的速度响应处理器指令,彻底消除数据瓶颈,让您的产品在激烈的市场竞争中快人一步。
想象一下,在工业自动化控制系统中,复杂的逻辑运算和实时数据采集需要内存毫秒不差的精准配合;在网络通信设备中,海量数据包的快速交换与缓冲对内存带宽提出了严苛考验;甚至在高端医疗影像设备里,瞬间生成的高清图像数据也需要一个高速、稳定的暂存空间。这正是MT49H64M9SJ-25E:B大显身手的舞台。它1.7V至1.9V的低电压供电设计,在提供强劲性能的同时,也兼顾了能效,特别适合对功耗敏感的长周期运行设备。其0°C至95°C的宽工作温度范围,更是确保了从温控机房到户外基站等各种极端环境下的稳定如一,为您的核心应用保驾护航。
选择MT49H64M9SJ-25E:B,就是选择了一份经过市场验证的可靠性。尽管该型号已处于停产状态,但其成熟的设计和卓越的性能使其成为许多经典和持续生产项目的理想之选。对于正在寻找稳定货源以支持长期产品生命周期的工程师和采购决策者而言,与一家可靠的Micron代理商合作,是确保获得正品芯片和持续供应支持的关键。这颗采用144-TFBGA封装、表面贴装工艺的芯片,以其紧凑的尺寸和工业级的品质,能够无缝集成到您的PCB设计中,简化生产流程,降低总体成本。它代表的是一种以性能稳定为核心的价值主张,让您能够专注于产品创新与功能开发,而将底层存储的稳定与高效完全托付给这颗值得信赖的“心脏”。
- 型号:MT49H64M9SJ-25E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-FBGA(18.5x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:64M x 9
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-FBGA(18.5x11)
- MT49H64M9SJ-25E:B的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















