MT49H32M18CFM-25E:B

在追求极致性能的嵌入式系统设计中，您是否曾为寻找一颗既能提供充沛带宽，又能保持出色能效的存储核心而反复权衡？答案或许就藏在MT49H32M18CFM-25E:B这颗经典的并行DRAM芯片之中。它不仅仅是一个存储组件，更是您系统流畅运行的坚实保障，以高达400MHz的时钟频率和15ns的快速访问时间，瞬间响应处理器的每一次数据请求，让海量信息吞吐变得行云流水。

想象一下，在工业自动化控制器的核心板上，它稳定地处理着来自传感器网络的实时数据流；在高端网络通信设备的交换矩阵中，它高效地缓冲着高速数据包，确保信号无延迟转发；即便在那些对温度和环境有着严苛要求的车载信息娱乐系统或医疗监护设备里，其0°C至95°C的宽温工作范围也能提供令人放心的可靠性。这颗芯片的价值，在于它能无缝融入这些关键场景，成为系统背后沉默却强大的性能基石。

选择MT49H32M18CFM-25E:B，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。其1.7V至1.9V的低电压供电设计，在提供576Mb（32M x 18）大容量存储的同时，显著优化了系统的整体功耗，这对于追求长续航和绿色节能的现代设备至关重要。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在特定存量市场和备件供应领域依然拥有不可替代的价值。如果您正在为经典系统升级或维护寻找可靠的存储解决方案，通过值得信赖的美光中国代理渠道获取这颗芯片，无疑是确保产品生命周期延续与性能一致性的明智之举。

• 型号:MT49H32M18CFM-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18CFM-25E:B的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。