MT49H16M36SJ-25 IT:B TR

在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统设计中，您是否曾为寻找一颗能够同时满足高速响应、宽温适应与高可靠性的存储核心而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越答案MT49H16M36SJ-25 IT:B TR。这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM，以其400MHz的高时钟频率和低至20ns的访问时间，为您的系统注入澎湃的数据吞吐动力。它不仅仅是一颗存储器，更是您产品在激烈市场竞争中保持领先地位的坚实后盾。

想象一下，在工业自动化产线上，设备需要毫秒级的精准控制与数据交换；在严苛的户外通信基站中，模块必须在-40°C到85°C的极端温度下稳定运行；或者在高端网络设备中，海量数据包需要被瞬间缓存与转发。MT49H16M36SJ-25 IT:B TR正是为这些挑战性场景而生。其1.7V至1.9V的低电压供电设计，在提供强劲性能的同时，有效降低了系统整体功耗，让您的设备在能效比上脱颖而出。144-TFBGA的紧凑封装，更是为空间受限的PCB布局提供了极大的灵活性，让高性能设计游刃有余。

选择这颗芯片，意味着您选择了一份历经考验的可靠性。尽管其零件状态标注为停产，但这恰恰证明了其经典的设计与卓越的稳定性已得到业界长期、广泛的应用认可，拥有成熟的生态系统和解决方案。对于许多追求长期稳定供应与可靠性的项目而言，通过值得信赖的Micron代理商获取这颗芯片，是保障供应链安全与产品品质的明智之举。它代表的是一种无需妥协的价值：以经过验证的成熟技术，为您当前的关键项目提供稳定、高效的存储解决方案，规避新技术可能带来的未知风险，让您的产品上市之路更加平稳顺畅。

• 型号:MT49H16M36SJ-25 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M36SJ-25 IT:B TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。