MT49H16M36SJ-25E:B TR

在追求极致性能的嵌入式系统与网络设备领域，您是否正为寻找一款既能提供澎湃数据带宽，又能保持出色能效比的内存解决方案而困扰？答案或许就藏在MT49H16M36SJ-25E:B TR这颗闪耀的明星之中。作为美光科技精心打造的576Mb并行DRAM，它不仅仅是一颗存储芯片，更是您释放系统潜能的强大引擎。其高达400MHz的时钟频率与15ns的快速访问时间，意味着数据洪流能够以前所未有的速度在您的设备中奔腾，无论是处理复杂的实时计算，还是应对高并发的数据吞吐，都能游刃有余，让您的产品在激烈的市场竞争中快人一步。

想象一下，在下一代企业级路由器、高性能网络交换机或是需要大量数据缓存的工业控制系统中，MT49H16M36SJ-25E:B TR将如何大放异彩。它1.7V至1.9V的低电压供电设计，在提供强劲性能的同时，显著降低了系统功耗，这对于需要7x24小时不间断运行的通信基础设施和边缘计算设备而言，意味着更低的运营成本和更长的使用寿命。其宽泛的0°C至95°C工作温度范围（TC），确保了在严苛的工业环境下依然稳定可靠，从数据中心恒温机房到户外通信基站，它都是值得信赖的伙伴。选择它，就是为您的核心设备注入了持久而强大的生命力。

那么，为何众多领先的设计师都将MT49H16M36SJ-25E:B TR作为首选？理由清晰而有力。它代表了性能、能效与可靠性的黄金平衡点。16M x 36的存储结构为并行数据处理提供了最优路径，144-TFBGA的紧凑封装则节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更加精巧。更重要的是，当您通过值得信赖的美光一级代理获取此产品时，您获得的不仅是原装正品的质量保证，还有从技术选型到供应链支持的全方位专业服务。这不仅仅是购买一颗芯片，更是为您的项目成功引入了一个坚实可靠的后盾。立即行动，让MT49H16M36SJ-25E:B TR成为您打造下一代高性能设备的秘密武器。

• 型号:MT49H16M36SJ-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M36SJ-25E:B TR的官网价格：2000:$42.44240，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。