MT49H16M36BM-25E:B

在追求极致性能与稳定性的高端嵌入式系统中，您是否曾为寻找一颗能够同时满足大容量、高带宽与低功耗需求的并行DRAM而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案MT49H16M36BM-25E:B。这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM，以其16M x 36的独特位宽架构，专为那些对数据吞吐量和系统可靠性有着严苛要求的应用而生。它不仅仅是一颗存储器，更是您系统性能飞跃的基石，能够释放您设计的全部潜能。

想象一下，在工业自动化控制的核心单元，或者在下一代网络通信设备的处理板上，数据洪流需要被实时、无延迟地处理与交换。MT49H16M36BM-25E:B正是为此类场景量身打造。其高达400MHz的时钟频率与15ns的快速访问时间，意味着它能以惊人的速度响应处理器的指令，确保视频流处理、高速数据采集或复杂算法运算的流畅无阻。无论是运行在高温的工业环境，还是要求7x24小时不间断工作的通信基站，其0°C至95°C的宽温工作范围和1.8V左右的低电压供电，都赋予了系统卓越的环境适应性与能效表现，让您的产品在激烈的市场竞争中稳如磐石。

选择MT49H16M36BM-25E:B，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性与性能保障。尽管该型号已进入停产生命周期，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及稳定的供货渠道（通过我们这样的美光一级代理），使其成为许多现有产品升级或长期维护项目的绝佳选择。它避免了全新平台可能带来的设计风险和调试成本，让您能够快速将经过验证的成熟方案集成到产品中，显著缩短开发周期，将精力聚焦于核心功能的创新。这颗采用144-TFBGA紧凑封装的芯片，以表面贴装方式轻松融入您的PCB布局，在提供强大并行数据通道的同时，帮助您优化板级空间，实现更高集成度的设计。

总而言之，MT49H16M36BM-25E:B代表了一个高性能嵌入式时代的经典记忆解决方案。它承载着美光领先的存储技术，以其稳健的性能参数和广泛的应用适应性，持续为需要可靠、高速数据缓冲与处理能力的系统注入活力。当您需要为关键任务型设备寻找一个值得信赖的“数据伙伴”时，这颗芯片所提供的价值远超过其本身的规格参数，它带来的是一整套经过实战检验的系统级优势与长期稳定的供应支持。

• 型号:MT49H16M36BM-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-25E:B的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。