MT49H16M36BM-18:B TR

在追求极致性能与稳定性的高端设备设计中，您是否曾为寻找一颗能够承载海量数据、同时保持闪电般响应速度的存储核心而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案MT49H16M36BM-18:B TR。这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM芯片，以其533MHz的高时钟频率和低至15ns的访问时间，为您的系统注入澎湃的数据吞吐动力。它不仅仅是一个存储单元，更是您产品性能飞跃的关键引擎，让复杂的数据流处理变得行云流水，瞬间响应每一个指令。

想象一下，在工业自动化控制系统中，实时处理来自数百个传感器的数据流；或在高端网络通信设备中，需要瞬间缓存和转发海量数据包。这正是MT49H16M36BM-18:B TR大显身手的舞台。其16M x 36的宽位架构与并行接口，完美适配对带宽有严苛要求的应用场景，无论是嵌入式服务器、高性能计算模块，还是需要大量帧缓冲的显示与图像处理系统，它都能提供稳定可靠的高速数据暂存服务，确保系统在高负荷下依然从容不迫，避免因数据拥堵导致的性能瓶颈。

选择这颗芯片，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性与卓越性能的传承。尽管其零件状态标注为停产，但这恰恰意味着它拥有成熟完备的供应链与经过无数严苛项目验证的稳定性记录，对于许多追求长期稳定供应和经典设计的项目而言，这反而是巨大的优势。其1.7V至1.9V的低电压供电和0°C至95°C的宽工作温度范围，赋予了产品出色的能效表现与环境适应性。更重要的是，通过我们值得信赖的美光芯片代理，您不仅能获得这颗高性能芯片，更能得到从技术选型支持到稳定供货保障的全方位服务，让您的产品开发之路更加顺畅高效。

• 型号:MT49H16M36BM-18:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-18:B TR的官网价格：1000:$44.35000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。