MT49H16M18BM-25 IT:B

在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统中，您是否曾为寻找一款既能满足严苛环境要求，又能提供可靠并行数据吞吐的存储解决方案而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越答案MT49H16M18BM-25 IT:B。这款来自美光科技（Micron Technology）的288Mb并行DRAM，以其400MHz的高时钟频率和仅20ns的快速访问时间，为您的系统注入澎湃的数据处理动力。它不仅仅是一颗存储器，更是您构建高性能、高响应度应用的坚实基石。

想象一下，在工业自动化控制的核心单元里，传感器数据如潮水般涌来，需要被实时捕捉、分析和响应；或者在高端网络通信设备中，海量数据包必须被高速缓存和转发，不容丝毫延迟。MT49H16M18BM-25 IT:B正是为这些挑战性场景而生。其16M x 18的存储结构，为宽数据总线应用提供了理想的支持，无论是复杂的图像处理、高速数据采集，还是要求严苛的电信基础设施，它都能确保数据流的顺畅与完整。更令人安心的是，其宽广的-40°C至85°C工作温度范围，让它能够从容应对从酷热车间到寒冷户外的各种极端环境，保障您的设备7x24小时稳定运行。

选择MT49H16M18BM-25 IT:B，意味着您选择了一份历经考验的可靠性。尽管该型号已进入停产生命周期，但其成熟的设计、广泛的行业应用验证以及稳定的性能表现，使其成为众多存量项目升级或长期产品维护的绝佳选择。对于依赖美光高品质存储方案的开发者而言，通过与值得信赖的美光芯片代理合作，您依然可以获取这颗经典芯片，为您的产品延续卓越性能与市场竞争力。它采用144-TFBGA封装，节省宝贵的PCB空间，1.7V至1.9V的低电压供电，在提供强劲性能的同时也兼顾了能效。让这颗久经沙场的存储核心，成为您可靠产品版图中不可或缺的一部分。

• 型号:MT49H16M18BM-25 IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18BM-25 IT:B的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。