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MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:存储器,产品封装:54-VFBGA
  • 技术参数:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR参数详情:

在追求极致性能与可靠性的汽车电子和工业控制领域,您是否正在寻找一颗能够应对严苛环境挑战、同时提供稳定高速数据吞吐的存储核心?答案就在MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR。这颗来自美光科技的汽车级低功耗SDRAM,正是为满足下一代智能应用对存储的苛刻要求而生。它不仅仅是一颗存储器,更是您系统稳定高效运行的坚实保障,让您的产品在激烈的市场竞争中,凭借卓越的可靠性和响应速度脱颖而出。

想象一下,在智能座舱的仪表盘上,复杂绚丽的图形界面需要瞬间加载与流畅渲染;在高级驾驶辅助系统(ADAS)中,海量的传感器数据需要被实时缓存与处理,不容丝毫延迟。这正是MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR大显身手的舞台。其512Mb(32M x 16)的存储容量与166MHz的时钟频率,为图形处理、数据缓冲和程序运行提供了充沛且迅捷的空间。更关键的是,它通过了严苛的AEC-Q100认证,工作温度范围宽达-40°C至105°C,无论是冰天雪地还是炎炎夏日,都能确保性能始终如一,为车载信息娱乐系统、导航单元、行车记录仪以及工业网关、通信设备等应用注入全天候的活力。

选择MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR,就是选择了一份来自行业领袖的安心与高效。美光科技在存储领域的深厚积淀,确保了这颗芯片从设计到生产的顶级品质。其移动低功耗(LPSDR)技术,在1.7V至1.95V的宽电压范围内工作,不仅降低了系统整体能耗,更延长了电池供电设备的续航。5ns的极快访问时间和15ns的写周期时间,意味着数据读写如行云流水,极大提升了系统响应效率。当您需要可靠、高性能的汽车级存储解决方案时,通过值得信赖的美光中国代理获取这颗芯片,无疑是加速项目落地、打造差异化产品的明智之选。让它成为您下一个成功产品的强大记忆中枢,共同驶向智能未来的快车道。

  • 制造商产品型号:MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q100
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量:512Mb(32M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:166MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:5ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:54-VFBGA
  • MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR的官网价格:有源,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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