




MT47H64M8CF-187E:G
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-FBGA(8x10)
- 技术参数:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
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MT47H64M8CF-187E:G参数详情:
在追求极致性能与稳定性的道路上,您的系统是否曾因内存带宽不足而遭遇瓶颈?当数据洪流奔涌而至,选择一颗可靠、高效的内存芯片,往往是决定产品成败的关键一步。今天,我们向您隆重推荐来自美光科技的经典力作MT47H64M8CF-187E:G。这颗采用先进DDR2技术的512Mb并行DRAM,以其533MHz的高时钟频率和仅350ps的超快访问时间,为您的高速数据处理需求注入澎湃动力。它不仅仅是存储单元,更是您系统流畅运行的坚实保障,让每一次数据读写都精准迅捷,毫无迟滞。
想象一下,在工业自动化控制系统中,实时采集的海量传感器数据需要被瞬间处理和响应;在网络通信设备中,高速数据包必须被无缝缓冲与转发;在需要稳定运行的嵌入式平台里,复杂算法的执行离不开可靠的内存支持。这正是MT47H64M8CF-187E:G大显身手的舞台。其1.7V至1.9V的低工作电压,不仅有效降低了系统整体功耗,更符合现代电子设备对能效的严苛要求。广泛的0°C至85°C工作温度范围,确保了它在各种严苛环境下都能稳定服役,无论是温控机房还是户外设备,都能从容应对,展现出一流的环境适应性与可靠性。
为何在众多存储解决方案中,MT47H64M8CF-187E:G值得您的青睐?答案在于它完美平衡了性能、功耗与成熟度。DDR2技术历经市场长期验证,拥有极高的生态成熟度和设计友好性,能显著缩短您的产品开发周期,降低设计风险。其64M x 8的经典组织架构,为各种主流处理器和控制器提供了即插即用的兼容性。选择它,意味着您选择了一个经过全球无数项目验证的稳定基石。如果您正在为现有系统寻找可靠的升级方案,或为新项目规划核心存储单元,通过值得信赖的Micron代理商获取这颗芯片,无疑是通往成功的一条高效捷径。让它成为您产品中沉默而强大的性能引擎,共同创造更流畅、更可靠的用户体验。
- 型号:MT47H64M8CF-187E:G
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA(8x10)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:350 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
- MT47H64M8CF-187E:G的官网价格:1000:$8.35153,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















