




MT47H64M8CB-5E:B TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-FBGA
- 技术参数:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT47H64M8CB-5E:B TR参数详情:
在追求极致性能与稳定性的数字世界里,您的系统是否曾因内存带宽不足而遭遇瓶颈?当数据洪流奔涌而至,选择一颗可靠、高效的内存芯片,往往是决定产品成败的关键一步。今天,我们向您隆重推荐由美光授权代理倾力供应的核心存储解决方案MT47H64M8CB-5E:B TR。这颗源自美光科技的512Mb DDR2 SDRAM芯片,以其经过市场长期验证的卓越品质,成为众多经典设计中不可或缺的“数据引擎”。它不仅仅是一个组件,更是您提升系统响应速度、保障数据流畅性的坚实后盾。
想象一下,在工业自动化控制系统中,实时处理海量传感器数据;在网络通信设备里,高速缓冲转发数据包;或是在嵌入式多媒体终端上,流畅解码高清视频流。这些 demanding 的应用场景,正是MT47H64M8CB-5E:B TR大显身手的舞台。其200MHz的时钟频率与仅600ps的访问时间,意味着它能以惊人的速度响应处理器的每一次请求,确保关键任务零延迟执行。1.7V至1.9V的低电压供电,不仅显著降低了系统整体功耗,更体现了对能效比的精准把控,让您的产品在性能与续航之间找到完美平衡。表面贴装的60-FBGA封装,结构紧凑,为您的PCB布局提供了极大的灵活性,尤其适合空间受限的现代化紧凑型设计。
为何在众多选择中,MT47H64M8CB-5E:B TR值得您信赖?首先,它承载着美光科技在存储领域数十年的技术积淀与品质承诺,每一颗芯片都经过严格测试,确保在0°C至85°C的宽温范围内稳定工作,适应从室内温和环境到工业级严苛场景的多样化需求。其次,其64M x 8的并行接口架构,提供了高达512Mb的可靠存储容量,能够轻松应对复杂程序运行和海量临时数据缓存的需求,让系统多任务处理游刃有余。尽管该型号已进入停产周期,但其成熟的技术、广泛的行业应用基础以及通过美光授权代理渠道保障的可靠供应,使其成为对长期稳定性、成本控制及供应链安全有极高要求的升级换代或延续产品生命周期项目的明智之选。选择它,就是选择了一份历经考验的可靠与高效。
- 型号:MT47H64M8CB-5E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:600 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
- MT47H64M8CB-5E:B TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















