




MT47H64M8CB-37E:B TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-FBGA
- 技术参数:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT47H64M8CB-37E:B TR参数详情:
在追求极致性能与稳定性的数字时代,您是否还在为嵌入式系统或工业控制设备寻找一颗可靠的数据处理核心?当海量信息需要被高速、准确地存取时,MT47H64M8CB-37E:B TR 这颗来自美光科技的DDR2 SDRAM芯片,正是您值得信赖的解决方案。它不仅仅是一个存储单元,更是您产品流畅运行、高效响应的坚实保障。
想象一下,在自动化生产线、网络通信设备或高端消费电子产品的核心板上,数据流如同城市的血脉,必须时刻保持畅通无阻。MT47H64M8CB-37E:B TR凭借其512Mb(64M x 8)的存储容量和高达267MHz的时钟频率,能够轻松应对多任务并行处理的需求,确保指令执行与数据交换毫无迟滞。其1.8V典型供电电压与低至500ps的访问时间,在提升能效比的同时,大幅降低了系统整体功耗与发热,让您的设备在0°C至85°C的宽温范围内依然保持冷静与高效。这正是选择与专业美光代理商合作的价值所在您获得的不仅是原厂正品,更是经过市场长期验证的稳定性和可靠性背书。
无论是需要持续稳定运行的工控主板、服务器辅助内存,还是对响应速度有苛刻要求的通信基站模块,这颗采用60-FBGA封装、表面贴装的芯片都能完美融入您的设计。它提供的并联接口确保了高速数据传输路径,而15ns的写周期时间则让数据写入快人一步。尽管该型号已处于停产状态,但其成熟的技术与广泛的适用性,使其在存量市场与特定延续性项目中依然闪耀着不可替代的光芒。对于那些追求经典、稳定架构,且对供应链有妥善管理能力的开发者而言,它意味着风险可控、性能已知的绝佳选择。
所以,当您下一次为项目甄选核心存储器时,不妨将目光投向这颗历经考验的“老兵”。选择MT47H64M8CB-37E:B TR,不仅是选择了一个硬件部件,更是选择了一份让产品性能基线坚实可靠的承诺。它承载着美光科技在存储领域的深厚积淀,静待在您的创新设计中,再次释放稳定而强大的数据动能。
- 型号:MT47H64M8CB-37E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:500 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
- MT47H64M8CB-37E:B TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















