MT47H64M8B6-37E IT:D TR

在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统中，您是否曾为寻找一款能够平衡速度、容量与可靠性的存储解决方案而反复权衡？今天，我们为您带来一个经久考验的答案MT47H64M8B6-37E IT:D TR。这颗来自美光科技的DDR2 SDRAM芯片，以其512Mb（64M x 8）的并行架构和高达267MHz的时钟频率，为您的高速数据处理需求注入澎湃动力。它不仅仅是一个存储单元，更是您系统流畅运行的坚实基石，让复杂指令的快速响应与海量数据的瞬时吞吐成为可能。

想象一下，在工业自动化控制柜内，它正以1.7V至1.9V的低电压稳定运行，确保生产数据毫秒不差地同步；在户外严苛环境下的通信设备中，它凭借-40°C至95°C的宽温工作能力，无畏寒暑，保障信号传输永不中断。无论是需要快速页面写入的网络设备，还是对访问时间极为敏感（低至500ps）的医疗影像处理模块，这颗芯片都能完美融入，成为提升终端产品竞争力的隐形引擎。其60-FBGA的表面贴装封装，更为您的紧凑型PCB设计提供了极大的灵活性。

选择MT47H64M8B6-37E IT:D TR，意味着您选择了一个久经市场验证的可靠伙伴。尽管它已进入停产生命周期，但其卓越的稳定性和广泛的适用性，使其在存量市场及特定延续性项目中依然拥有不可替代的价值。对于寻求高品质、高一致性元器件的工程师而言，通过值得信赖的美光中国代理进行采购，是确保产品源头正宗、供应稳定、并获得专业技术支持的最佳途径。让这颗凝聚美光尖端存储技术的芯片，为您的创新构想提供持久而高效的能量支持，助力您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:MT47H64M8B6-37E IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:500 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8B6-37E IT:D TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。