




MT47H64M8B6-37E:D TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-FBGA
- 技术参数:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MT47H64M8B6-37E:D TR参数详情:
在追求极致性能的数字世界里,您的设备是否曾因内存带宽不足而遭遇瓶颈?当数据洪流奔涌而至,一颗可靠、高效的内存芯片就是系统稳定运行的基石。今天,我们向您隆重介绍MT47H64M8B6-37E:D TR,这颗来自美光科技的DDR2 SDRAM芯片,正是为应对严苛数据挑战而生的解决方案。它不仅仅是一个存储单元,更是您设备性能飞跃的关键引擎,以512Mb(64M x 8)的并行架构,提供高达267MHz的时钟频率,确保数据吞吐如行云流水,让您的应用告别卡顿与延迟。
想象一下,在工业自动化控制系统中,实时数据的采集与处理分秒必争;在网络通信设备中,海量数据包的快速交换是保障流畅体验的前提;在需要稳定运行的嵌入式平台里,内存的可靠性直接关系到整个系统的安危。这正是MT47H64M8B6-37E:D TR大显身手的舞台。其1.7V至1.9V的低工作电压,不仅有效降低了系统整体功耗,更在0°C到85°C的宽温范围内保持稳定性能,无论是严寒还是酷热的环境,都能确保您的设备心无旁骛地高效运转。其500ps的极快访问时间和15ns的写周期时间,意味着指令响应更快,数据处理更及时,为您的产品注入强劲的“瞬时反应”能力。
选择一颗芯片,就是选择一位值得信赖的伙伴。为什么众多工程师在面临关键项目选型时,会青睐这颗芯片?答案在于其背后美光科技深厚的存储技术底蕴与卓越的品质保证。它采用成熟的60-FBGA表面贴装封装,工艺稳定,易于集成到您的PCB设计中。虽然该型号已进入停产状态,但这恰恰证明了其经过长期市场验证的经典与可靠,对于许多现有系统的维护、升级或特定批量的生产而言,它依然是经过时间考验的优选。更重要的是,通过与可靠的美光代理商合作,您不仅能获得正品保障,还能得到专业的技术支持与稳定的供货渠道,确保您的项目供应链安全无虞。让MT47H64M8B6-37E:D TR成为您产品中沉默而强大的力量守护者,驱动创新,赢在未来。
- 型号:MT47H64M8B6-37E:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:500 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
- MT47H64M8B6-37E:D TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















