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MT47H64M16NF-187E:M

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 技术参数:IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT47H64M16NF-187E:M参数详情:

在追求极致性能的嵌入式系统设计中,您是否曾为寻找一颗稳定可靠、能应对严苛环境挑战的DDR2内存芯片而反复权衡?今天,我们为您带来一个久经市场考验的成熟解决方案MT47H64M16NF-187E:M。这颗来自美光科技的1Gb并行DDR2 SDRAM,以其卓越的稳定性和广泛的适用性,持续为众多成熟、高要求的应用场景注入澎湃的数据动力。它不仅仅是一个存储组件,更是您系统长期稳定运行的坚实保障。

想象一下,在工业自动化产线上,控制单元需要7x24小时不间断地处理海量传感器数据与指令;在网络通信设备中,数据包需要被高速缓存与转发,确保信息流的畅通无阻;又或者在那些对成本与可靠性有着极致平衡要求的消费类电子及特定嵌入式领域。MT47H64M16NF-187E:M正是为这些场景而生。它533MHz的时钟频率与350ps的快速访问时间,确保了数据交换的高效及时,而1.7V至1.9V的低电压供电范围,则有效助力系统实现更优的能效表现。其0°C至85°C的宽工作温度范围,让它能够从容应对从室内设备到部分工业环境的各种温度挑战,保障系统在各种条件下都能稳定发挥。

选择这颗芯片,意味着您选择了一份经过时间验证的可靠性。作为一款处于“不适用于新设计”状态的成熟产品,它拥有极其丰富的应用案例和供应链历史,风险极低,特别适合用于产品生命周期长、设计定型且需要长期稳定供货的升级与维护项目。其64M x 16的组织结构提供了灵活的1Gb容量,84-TFBGA的紧凑封装节省了宝贵的PCB空间。当您需要为成熟可靠的设计寻找一颗性能扎实、供货稳定的内存芯片时,MT47H64M16NF-187E:M无疑是经过市场千锤百炼后的智慧之选。我们作为专业的美光代理商,不仅能提供正品保障,更能为您基于此类成熟器件的选型与供应提供持续支持,让您的产品维护与升级之路更加顺畅无忧。

  • 型号:MT47H64M16NF-187E:M
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:64M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:350 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:84-TFBGA
  • 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
  • MT47H64M16NF-187E:M的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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