MT47H512M4THN-25E:M TR

在追求极致性能与稳定性的数字世界里，您的系统是否曾因内存带宽不足或响应延迟而遭遇瓶颈？想象一下，当数据洪流奔涌而至，一颗可靠、高效的内存芯片就是确保系统流畅运行的基石。今天，我们向您隆重介绍来自存储巨擘美光科技的经典力作MT47H512M4THN-25E:M TR，这颗2Gb容量的DDR2 SDRAM芯片，正是为那些对性能与成本有着双重考量的成熟应用而生的可靠伙伴。

它绝非简单的存储单元，而是系统活力的源泉。其400MHz的时钟频率与仅400ps的访问时间，意味着它能以惊人的速度响应处理器的每一次数据请求，无论是处理复杂的实时数据流，还是支撑多任务并行运行，都能游刃有余，显著减少等待，提升整体系统吞吐量。1.7V至1.9V的低电压供电设计，在保障强劲性能的同时，更兼顾了能效，帮助您的设备在长时间运行中保持冷静与稳定。从工业控制设备的可靠数据缓存，到网络通信设备的快速报文交换，再到需要稳定运行环境的嵌入式系统与消费电子，这颗芯片都能无缝融入，成为背后默默支撑的坚实力量。

选择美光代理商获取这颗芯片，无疑是确保产品品质与供应连贯性的明智之举。让它为您的设备注入持久而稳定的生命力，延续产品的市场竞争力。

• 型号:MT47H512M4THN-25E:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H512M4THN-25E:M TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。