




MT47H512M4EB-25E:C
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-FBGA(9x11.5)
- 技术参数:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT47H512M4EB-25E:C参数详情:
在追求极致性能与稳定性的数字世界里,您是否还在为寻找一颗能够承载关键数据、驱动复杂运算的可靠内存核心而烦恼?今天,我们为您带来一个经过市场长期验证的成熟解决方案MT47H512M4EB-25E:C。这颗来自美光科技的2Gb DDR2 SDRAM芯片,以其卓越的并行处理能力和高达400MHz的时钟频率,为您的系统注入澎湃的数据吞吐动力。它不仅仅是一个存储单元,更是您设备性能飞跃的基石,能够轻松应对多任务并行处理带来的严苛挑战,确保数据流如行云流水般顺畅无阻。
想象一下,在工业自动化控制系统中,实时采集的海量传感器数据需要被瞬间存储与调用;在网络通信设备里,高速转发的数据包要求内存拥有极低的延迟与极高的可靠性;又或者在那些对成本与成熟度有严格要求的嵌入式应用领域,如数字标牌、打印设备、传统安防系统中,稳定与高效往往是压倒一切的需求。这正是MT47H512M4EB-25E:C大显身手的舞台。它1.8V的标准工作电压,在提供强劲性能的同时,也兼顾了能效表现;其0°C至85°C的宽温工作范围,确保了在各类复杂环境下的稳定运行,让您的产品无论面对何种挑战,都能从容不迫。
选择MT47H512M4EB-25E:C,就是选择了一份经过时间淬炼的安心。作为一款成熟且广泛应用的DDR2解决方案,它拥有极其丰富的生态系统和设计参考,能显著缩短您的产品开发周期,降低整体设计风险。虽然该型号已进入停产生命周期,但其巨大的市场存量和完善的供应链支持,使其成为许多经典产品设计延续与维护的绝佳选择。更重要的是,通过我们值得信赖的美光中国代理,您不仅能获得原厂品质的正品芯片保障,还能享受到专业的选型支持、稳定的供货渠道以及有竞争力的价格。让我们助您,用这颗久经考验的“心脏”,激活设备的无限潜能,在激烈的市场竞争中赢得先机。
- 型号:MT47H512M4EB-25E:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA(9x11.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA(9x11.5)
- MT47H512M4EB-25E:C的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















