MT47H256M8THN-3:H TR

在追求极致性能与稳定性的数字世界里，您是否正在为您的嵌入式系统、工业控制或网络设备寻找一颗可靠且强大的“数据心脏”？那么，请将目光聚焦于MT47H256M8THN-3:H TR。这颗来自存储巨头美光科技的DDR2 SDRAM芯片，以其久经考验的稳定性和卓越的并行处理能力，至今仍在众多关键应用中扮演着不可或缺的角色。它不仅仅是一颗存储器，更是您系统流畅运行的坚实保障。

想象一下，在自动化产线上，设备需要实时处理海量的传感器数据与指令；在网络交换设备中，数据包必须以极高的速度被暂存与转发；在需要持续稳定运行的工业计算机里，任何数据延迟或丢失都可能造成严重后果。这正是MT47H256M8THN-3:H TR大显身手的舞台。其2Gb（256M x 8）的大容量，配合333MHz的时钟频率和仅450ps的快速访问时间，能够轻松应对这些高带宽、低延迟的数据吞吐需求，确保您的应用响应如飞，运行如磐石般稳定。选择我们的美光中国代理，您获得的不仅是这颗高品质芯片，更是从源头到交付的全程品质保障与专业支持。

为何在众多选择中，它依然是经久不衰的经典之选？答案在于其无可替代的成熟性与可靠性。基于DDR2技术的它，在1.8V标准电压下工作，功耗与性能达到完美平衡，特别适合对长期稳定性和成本有严格要求的应用。63-TFBGA的紧凑封装，为您的PCB布局节省了宝贵空间。尽管该型号已处于停产状态，但其庞大的市场存量与广泛的应用验证，意味着它拥有极高的成熟度和供应链可预见性，是您进行产品生命周期管理或现有系统维护升级时的安心之选。它代表的是一种历经市场锤炼的、值得信赖的性能标准。

• 型号:MT47H256M8THN-3:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H256M8THN-3:H TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。