MT47H256M8THN-25E:M

在追求极致性能与稳定性的数字世界里，您是否正在为您的工业控制、网络通信或嵌入式系统寻找一颗值得信赖的“数据心脏”？当数据洪流奔涌而至，选择一款高带宽、低延迟的DDR2 SDRAM，就是为您的设备注入澎湃动力的关键。今天，我们向您隆重推荐来自美光科技的经典力作MT47H256M8THN-25E:M。这颗2Gb容量的并行DRAM芯片，以其卓越的400MHz时钟频率和仅400ps的快速访问时间，能够瞬间响应指令，大幅提升系统数据处理能力，让您的应用告别卡顿与等待，运行如丝般顺滑。

无论是面对严苛的工业自动化环境，还是需要7x24小时不间断运行的网络交换设备，MT47H256M8THN-25E:M都能展现出非凡的适应性。其1.7V至1.9V的低电压供电设计，不仅有效降低了系统整体功耗，更在0°C至85°C的宽温范围内保持稳定性能，确保您的设备在高温或复杂工况下依然可靠如一。这意味着，将它集成到您的路由器、交换机、工控主板或医疗设备中，就如同为系统配备了一位不知疲倦、始终精准的“数据管家”，从容应对海量数据的实时交换与存储挑战。

选择MT47H256M8THN-25E:M，不仅仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一份源自全球存储巨头的品质保障。美光科技在存储器领域的深厚积淀，确保了这颗芯片从设计到生产的每一个环节都经得起考验。虽然该型号已进入停产生命周期，但其成熟稳定的架构、广泛的市场验证以及充足的渠道库存，使其成为众多经典产品升级与维护的绝佳选择。更重要的是，通过我们官方认证的美光授权代理进行采购，您将获得原厂正品保证、专业的技术支持以及灵活的供应链服务，让您的项目从选型到量产全程无忧。立即行动，让这颗历经市场锤炼的“性能基石”，为您的创新产品奠定最稳固的数据根基。

• 型号:MT47H256M8THN-25E:M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H256M8THN-25E:M的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。