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MT47H256M8EB-25E XIT:C供应商
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MT47H256M8EB-25E XIT:C
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-FBGA(9x11.5)
- 技术参数:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT47H256M8EB-25E XIT:C参数详情:
在追求极致性能与稳定性的数字世界里,您是否正在寻找一颗能够承载关键数据、驱动复杂运算的可靠心脏?答案或许就藏在MT47H256M8EB-25E XIT:C这颗经典的DDR2 SDRAM芯片之中。它不仅仅是一个存储组件,更是您构建高性能、高可靠性系统的坚实基石。源自美光科技的卓越工艺,这颗芯片以其2Gb(256M x 8)的大容量和400MHz的时钟频率,为您的高速数据处理需求提供了澎湃动力,让信息流转如行云流水,毫无阻滞。
想象一下,在工业自动化控制系统中,它稳定运行于-40°C至95°C的严苛温度范围,确保生产线永不间断;在网络通信设备的核心板上,其并联接口与400ps的快速访问时间,保障了海量数据包的瞬时吞吐与低延迟交换;即便在已经停产的背景下,它依然是众多经典设计、系统升级和维护中不可或缺的关键备件,证明了其经久不衰的价值与可靠性。选择它,就是为您的设备注入一颗历经市场验证的“强芯”。
那么,为何在众多选择中,它依然值得您的青睐?首先,其1.7V至1.9V的低电压供电设计,在提供强劲性能的同时,也兼顾了能效,有助于延长终端设备的续航或降低系统整体功耗。其次,15ns的写周期时间意味着高效的数据写入能力,能迅速响应处理器的指令,提升整体系统响应速度。最后,通过值得信赖的美光芯片代理渠道获取,您不仅能确保产品的原装正品与可靠来源,更能获得专业的技术支持与供应链保障,让您的项目从研发到量产都后顾无忧。这颗MT47H256M8EB-25E XIT:C,正是连接过往成熟设计与未来稳定运行之间的桥梁。
- 型号:MT47H256M8EB-25E XIT:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA(9x11.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA(9x11.5)
- MT47H256M8EB-25E XIT:C的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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