MT47H16M16BG-5E:B TR

当您的项目需要稳定可靠的内存支持，却受限于预算和供货周期时，您是否在寻找一个性能与成本兼顾的成熟解决方案？今天，我们为您带来一颗久经市场考验的存储核心MT47H16M16BG-5E:B TR。它不仅仅是一颗DDR2 SDRAM芯片，更是无数成熟设备稳定运行的“记忆心脏”。选择它，意味着您选择了一条风险更低、验证更充分的开发路径。

这颗来自美光科技的256Mb并行DRAM，以其1.8V的标准工作电压和高达200MHz的时钟频率，在工业控制、网络通信、传统消费电子等领域持续发挥着关键作用。想象一下，在那些对成本敏感但要求长期稳定运行的场景中，比如工业HMI界面、老款路由器交换机、或是特定的医疗监护设备，MT47H16M16BG-5E:B TR提供的16M x 16组织架构和并联接口，能够高效地处理数据流，确保系统响应流畅，避免卡顿。其0°C至85°C的宽温工作范围，更是为设备在多种环境下可靠服役提供了坚实保障。

您可能会问，在技术日新月异的今天，为何还要考虑这样一款经典器件？答案在于“价值最大化”。对于产品生命周期长、设计定型且需要持续生产的项目而言，切换到全新平台意味着巨大的重新设计、测试和认证成本。而MT47H16M16BG-5E:B TR作为一款经过大量应用验证的芯片，能帮助您完美延续现有设计，快速应对市场需求，将精力聚焦于产品功能的优化与市场开拓。更重要的是，通过我们美光授权代理，您可以获得稳定可靠的供货渠道与专业的技术支持，确保您的供应链安全无虞，让经典设计持续焕发商业活力。

• 型号:MT47H16M16BG-5E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-FBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x14）
• MT47H16M16BG-5E:B TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。