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MT47H16M16BG-37E:B TR供应商
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MT47H16M16BG-37E:B TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:存储器,产品封装:84-FBGA
- 技术参数:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 267MHZ
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT47H16M16BG-37E:B TR参数详情:
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想象一下,在严苛的工业自动化产线上,设备需要7x24小时不间断运行,处理海量的传感器数据与指令。MT47H16M16BG-37E:B TR凭借其1.7V至1.9V的低电压供电和0°C至85°C的宽工作温度范围,展现出卓越的能效比与环境适应性,让您的设备在复杂工况下依然稳定如山。无论是网络路由器、交换机需要高速缓存数据包,还是医疗监控设备需要实时记录生命体征,这颗芯片都能提供流畅、不间断的数据支持,成为系统可靠性的坚实基石。
选择MT47H16M16BG-37E:B TR,意味着您选择了一个经过市场长期验证的成熟解决方案。其500ps的快速访问时间和15ns的写周期时间,意味着更低的延迟和更高的吞吐量,直接提升了终端产品的整体性能与用户体验。尽管该型号已进入停产状态,但其卓越的品质和广泛的适用性,使其在存量市场与特定延续性项目中依然拥有不可替代的价值。当您需要为经典设计寻找可靠的内存组件时,通过值得信赖的Micron代理商获取这颗芯片,无疑是保障供应链安全与产品品质的明智之举。它不仅仅是一个存储器,更是您产品高效、稳定运行的强大后盾。
- 制造商产品型号:MT47H16M16BG-37E:B TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 267MHZ
- 产品系列:存储器
- 包装:剪切带(CT)
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:256Mb(16M x 16)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267MHz
- 写周期时间-字,页:15ns
- 访问时间:500ps
- 电压-供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:84-FBGA
- MT47H16M16BG-37E:B TR的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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