




MT47H128M8SH-25E AIT:M TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-FBGA(8x10)
- 技术参数:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
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MT47H128M8SH-25E AIT:M TR参数详情:
在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统设计中,您是否曾为寻找一颗能在严苛环境下依然可靠运行的内存核心而反复权衡?今天,我们为您带来一个历经市场考验的成熟解决方案MT47H128M8SH-25E AIT:M TR。这颗来自美光科技的1Gb DDR2 SDRAM芯片,以其卓越的工业级品质和稳定的并行架构,成为众多关键应用中的“定海神针”。它不仅仅是一个存储组件,更是您系统流畅、高效运行的坚实保障。
想象一下,在自动化产线控制、车载信息娱乐系统、或是户外通信基站中,设备需要不间断地处理海量数据流。这正是MT47H128M8SH-25E AIT:M TR大显身手的舞台。其128M x 8的宽位配置与高达400MHz的时钟频率,能够轻松应对多任务并行处理的需求,确保指令执行与数据交换毫无迟滞。更令人安心的是,它拥有-40°C至95°C的宽温工作范围,无论面对严寒还是酷暑,性能始终如一,这种可靠性正是工业与汽车电子领域梦寐以求的特性。
选择这颗芯片,意味着您选择了一份经过时间验证的信任。虽然它已处于停产周期,但这恰恰证明了其经典的设计和广泛的成功应用案例,市场上仍有稳定的库存供应以满足您的持续生产与维护需求。其1.8V左右的核心电压,在提供强劲性能的同时也兼顾了能效。对于正在使用或计划升级相关平台的工程师而言,它提供了极高的设计延续性和兼容性,能显著降低二次开发的风险与成本。我们作为值得信赖的美光一级代理,不仅能确保您获得正品货源,更能提供专业的技术支持与供应链服务,让您的产品开发之路更加顺畅。
因此,当您的项目需要一个高性能、高可靠性的存储核心来承载关键数据与程序时,MT47H128M8SH-25E AIT:M TR无疑是经过市场千锤百炼的明智之选。它承载着美光科技的尖端工艺与稳定基因,静待在您的下一个卓越设计中,释放持久而强大的能量。
- 型号:MT47H128M8SH-25E AIT:M TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA(8x10)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
- MT47H128M8SH-25E AIT:M TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















