




MT47H128M8HQ-3:E TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-FBGA(8x11.5)
- 技术参数:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
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MT47H128M8HQ-3:E TR参数详情:
在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统和工业控制领域,您是否还在为寻找一颗可靠、高效且经过市场验证的存储核心而烦恼?今天,我们为您带来一个久经考验的解决方案MT47H128M8HQ-3:E TR。这颗来自美光科技的1Gb DDR2 SDRAM芯片,虽然已进入停产生命周期,但其卓越的品质和广泛的应用验证,使其成为存量市场升级和特定项目延续的明星之选,持续为无数关键应用注入澎湃动力。
想象一下,在自动化产线的控制中枢、在医疗设备的精密运算单元、或是在通信基础设施的可靠后台,系统需要的是毫秒级的响应与海量数据的瞬间吞吐。MT47H128M8HQ-3:E TR正是为此而生。它凭借高达333MHz的时钟频率和仅450ps的快速访问时间,能够轻松驾驭复杂的数据流,确保指令执行流畅无阻,画面渲染清晰连贯,让您的设备在面对多任务处理和高负载运算时,依然表现得游刃有余。其1.8V左右的核心工作电压,在提供强劲性能的同时,也兼顾了能效,特别适合对功耗敏感的长周期运行场景。
选择这颗芯片,不仅仅是选择了一个存储组件,更是选择了一份经过时间淬炼的可靠性与一个成熟稳定的生态系统。其128M x 8的并行架构,为系统设计提供了灵活的数据带宽。广泛的工业级温度适应范围(0°C至85°C),确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作,极大提升了终端产品的环境适应性和使用寿命。对于正在维护或升级旧有系统的工程师而言,这颗芯片意味着无需大规模重新设计,即可实现性能的平稳衔接与保障,显著节省了开发成本与时间。我们作为值得信赖的美光代理商,不仅提供这颗经典芯片的可靠供应,更能为您提供专业的技术支持与供应链服务,确保您的项目从设计到量产一路畅通。
因此,当您的项目需要一颗性能扎实、久经考验的存储核心来担当重任时,MT47H128M8HQ-3:E TR无疑是您值得信赖的伙伴。它承载着美光科技的尖端工艺与品质承诺,虽然型号经典,但其蕴含的价值与能量,依然能在今天的市场中,助力您的产品焕发持久而稳定的光彩。
- 型号:MT47H128M8HQ-3:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA(8x11.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA(8x11.5)
- MT47H128M8HQ-3:E TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















