MT47H128M4SH-25E:H TR

在追求极致性能与稳定性的数字世界里，您是否正在寻找一颗能够承载关键数据、驱动复杂运算的可靠内存核心？答案或许就藏在MT47H128M4SH-25E:H TR之中。这颗来自美光科技（Micron Technology）的512Mb DDR2 SDRAM芯片，以其卓越的并行处理能力和高达400MHz的时钟频率，为您的高速应用注入澎湃动力。它不仅仅是一个存储单元，更是您系统流畅运行、数据高速吞吐的坚实保障。

想象一下，在工业自动化控制系统中，实时数据采集与指令响应容不得丝毫延迟；在网络通信设备里，海量数据包的缓冲与转发需要稳定高效的内存支持；在高端消费电子领域，复杂的用户界面与多媒体处理同样渴求迅捷的数据访问。MT47H128M4SH-25E:H TR正是为这些挑战而生。其1.8V典型工作电压与宽温范围（0°C至85°C）特性，确保了在各种严苛环境下都能保持稳定可靠的性能输出，让您的产品无论面对何种工况，都能从容应对。

选择MT47H128M4SH-25E:H TR，意味着您选择了一个经过市场验证的成熟解决方案。尽管其零件状态标注为停产，但这恰恰证明了其经典与可靠，在大量现有设备和延续性项目中拥有不可替代的价值。其128M x 4的组织结构、仅400ps的快速访问时间以及15ns的写周期，共同构筑了高效数据处理的基石。当您需要为项目寻找稳定、高性能的内存组件时，与值得信赖的Micron代理商合作，获取这颗芯片及其专业的技术支持，无疑是加速产品开发、保障供应链稳定的明智之举。让它成为您连接现在与未来，实现性能飞跃的关键拼图。

• 型号:MT47H128M4SH-25E:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H128M4SH-25E:H TR的官网价格：2000:$4.65481，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。