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MT47H128M4CB-37E:B供应商
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MT47H128M4CB-37E:B
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-FBGA
- 技术参数:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT47H128M4CB-37E:B参数详情:
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想象一下,在工业控制、网络通信设备或需要稳定数据缓存的嵌入式系统中,MT47H128M4CB-37E:B正默默发挥着核心作用。它采用并联接口,访问时间快至500ps,写周期时间仅15ns,这意味着它能以极高的效率处理并行数据任务,显著提升整体系统的吞吐能力。其1.8V典型供电电压和0°C至85°C的宽工作温度范围,确保了在严苛环境下依然能保持稳定可靠的运行,是那些对长期连续工作有极高要求应用的理想选择。
选择MT47H128M4CB-37E:B,不仅仅是选择了一颗高性能的芯片,更是选择了一份源自顶尖制造商美光科技的品质承诺。虽然该型号已处于停产状态,但其成熟的设计、广泛的应用验证以及市场上稳定的库存,使其成为诸多经典系统升级或维护的优选。更重要的是,通过我们美光一级代理,您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格,还能享受专业的技术支持与可靠的供货服务,让您的产品生命周期管理再无后顾之忧。让我们携手,用这颗久经沙场的“老兵”,继续为您的创新设备注入强劲动力。
- 型号:MT47H128M4CB-37E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:128M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:500 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
- MT47H128M4CB-37E:B的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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