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MT46V64M8FN-75 IT:D TR供应商
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MT46V64M8FN-75 IT:D TR

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:存储器,产品封装:60-TFBGA
  • 技术参数:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT46V64M8FN-75 IT:D TR参数详情:

在追求极致性能与稳定性的数字世界里,您的设备是否曾因内存带宽不足而遭遇瓶颈?当数据洪流奔涌而至,一颗可靠、高效的内存芯片就是确保系统流畅运行的基石。今天,我们向您隆重推荐来自存储巨擘美光科技的经典力作MT46V64M8FN-75 IT:D TR。这款512Mb DDR SDRAM,以其经过市场长期验证的卓越品质,依然是众多工业与嵌入式应用场景中值得信赖的选择。它不仅仅是一颗存储芯片,更是您系统性能飞跃的关键赋能者。

想象一下,在严苛的工业自动化环境中,设备需要7x24小时不间断运行,应对从-40°C到85°C的温度挑战。MT46V64M8FN-75 IT:D TR正是为此而生。其宽广的工作温度范围和稳定的2.5V(2.3V~2.7V)供电,确保了在极端条件下的数据存取万无一失。无论是网络通信设备的数据包缓冲、打印成像设备的高速数据处理,还是传统工控机、医疗监控设备的核心存储,它都能提供高达133MHz的时钟频率和750ps的快速访问时间,让数据流转如行云流水,彻底告别卡顿与延迟。即便面对已经停产的客观情况,其成熟的技术与庞大的市场存量,通过可靠的Micron代理商,依然能为您持续的项目与维护需求提供稳定的供应支持。

选择MT46V64M8FN-75 IT:D TR,就是选择了一份经过时间淬炼的安心。它的并联接口和64M x 8的组织结构,为系统设计提供了灵活高效的并行数据通道。15ns的写周期时间,意味着在高强度写入场景下也能保持高效响应。采用60-TFBGA封装和表面贴装技术,不仅节省了宝贵的PCB空间,更利于自动化生产,提升整体制造效率。对于那些追求长期稳定、对成本敏感且无需追逐最新制程的经典项目而言,这颗芯片代表了性价比与可靠性的黄金平衡点。它承载着美光科技在存储领域的深厚积淀,是帮助您的产品在市场竞争中稳扎稳打、赢得口碑的幕后功臣。

  • 制造商产品型号:MT46V64M8FN-75 IT:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR
  • 存储容量:512Mb(64M x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:133MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:750ps
  • 电压-供电:2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:60-TFBGA
  • MT46V64M8FN-75 IT:D TR的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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