MT46V64M8FN-6:D TR

在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统设计中，您是否曾为寻找一颗可靠、高效的DDR SDRAM而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越解决方案MT46V64M8FN-6:D TR。这颗来自美光科技的512Mb并行DDR SDRAM，以其出色的167MHz时钟频率和仅700ps的快速访问时间，能够瞬间点燃您系统的数据处理潜能，让信息吞吐如行云流水般顺畅。它不仅仅是一颗存储器，更是您设备流畅运行、响应迅捷的核心动力源泉。

想象一下，在工业控制面板上，复杂的操作指令与实时数据需要被瞬间调用与刷新；在网络通信设备中，海量的数据包必须被高速缓存与转发；在高端消费电子里，流畅的多媒体体验离不开背后强大的内存支持。MT46V64M8FN-6:D TR正是为这些要求严苛的场景而生。其64M x 8的组织结构，提供了灵活且高效的并行数据通道，配合2.3V至2.7V的宽电压供电范围，确保了在各种复杂供电环境下的稳定表现。表面贴装的60-TFBGA封装，更为您的PCB布局节省了宝贵空间，助力产品设计更加紧凑精巧。

选择MT46V64M8FN-6:D TR，意味着您选择了一份源自业界巨头美光科技的品质承诺。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的适用性使其在存量市场和特定延续性项目中依然拥有不可替代的价值。更重要的是，通过我们美光授权代理，您不仅能获得正品保障，还能得到专业的选型支持与可靠的供应链服务。我们理解，在关键项目中，一颗芯片的稳定与否关乎全局。因此，我们提供的不仅是产品，更是一份让您安心的保障。让这颗历经考验的存储芯片，成为您经典设计中可靠的数据基石，延续产品的卓越性能与市场生命力。

• 型号:MT46V64M8FN-6:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8FN-6:D TR的官网价格：1000:$14.40018，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。