MT46V64M8FN-5B:D TR

在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统中，您是否曾为寻找一款能够完美平衡速度、容量与可靠性的DDR SDRAM而苦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重向您推荐来自美光科技的明星存储解决方案MT46V64M8FN-5B:D TR。这款512Mb并行DDR SDRAM，以其卓越的200MHz时钟频率和闪电般的700ps访问时间，专为那些对数据吞吐量和响应速度有严苛要求的应用而生，是您驱动下一代高性能设备的强大心脏。

想象一下，在工业自动化控制系统中，复杂的逻辑运算与实时数据采集需要内存提供源源不断的稳定支持；在网络通信设备中，高速的数据包转发与处理容不得半点延迟；在高端消费电子领域，流畅的多媒体体验与快速的应用加载更是离不开高效的内存读写。MT46V64M8FN-5B:D TR正是为这些场景量身打造。其64M x 8的经典组织架构，提供了宽广的数据通道，配合2.5V至2.7V的低电压供电，不仅保证了澎湃的数据处理能力，更实现了出色的能效比，让您的设备在激烈的市场竞争中既能“跑得快”，又能“吃得少”。

选择MT46V64M8FN-5B:D TR，意味着您选择了一份历经市场验证的可靠与卓越。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的行业应用基础以及稳定的性能表现，使其成为众多经典和特定持续生产项目的首选。它代表了DDR1时代的一个高性能标杆，其15ns的写周期时间确保了数据写入的稳定高效。对于寻求稳定供应链和经过时间考验的解决方案的工程师而言，通过与值得信赖的Micron代理商合作，您依然可以获取这款高品质芯片，为您的产品注入持久的生命力与竞争力。它不仅仅是一个存储元件，更是您产品稳定运行、性能出众的坚实保障。

• 型号:MT46V64M8FN-5B:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8FN-5B:D TR的官网价格：1000:$7.97314，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。