




MT46V32M8FG-6 IT:G TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-FBGA(8x14)
- 技术参数:IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
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MT46V32M8FG-6 IT:G TR参数详情:
在追求极致性能的嵌入式系统设计中,您是否曾为寻找一颗稳定、可靠且性价比出众的DDR SDRAM而反复权衡?今天,我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越答案MT46V32M8FG-6 IT:G TR。这颗来自美光科技的256Mb并行DDR内存芯片,以其经典的架构和稳健的性能,至今仍在众多关键应用中发挥着不可替代的核心作用。它不仅仅是一个存储单元,更是您系统流畅运行、数据高速吞吐的坚实保障。
想象一下,在工业自动化控制器的核心板上,复杂的逻辑运算与实时数据交换需要内存提供毫秒级的响应;在网络通信设备的缓存模块中,海量数据包的临时存储与转发要求内存具备极高的带宽与稳定性;又或者在那些常年运行于严苛环境下的车载电子、户外监控设备中,元器件需要经受住温度剧烈波动的考验。MT46V32M8FG-6 IT:G TR正是为应对这些挑战而生。它167MHz的时钟频率与仅700ps的访问时间,确保了数据流的顺畅无阻;其宽广的-40°C至85°C工作温度范围,则赋予了设备从寒带到热带的全天候适应能力,让您的产品无论置于何种环境,都能心无旁骛地高效工作。
选择这颗芯片,意味着您选择了一份历经考验的可靠性。尽管其状态标注为“停产”,但在成熟的供应链体系中,通过值得信赖的美光芯片代理,您依然可以稳定获取高品质的货源,用于现有产品的维护、升级或特定批量的生产。这对于许多生命周期长、设计定型且对变更持谨慎态度的工业与通信项目而言,无疑是巨大的价值。它避免了因核心器件更换而带来的重新设计、测试与认证风险,直接降低了项目的总体拥有成本与时间成本。其2.3V至2.7V的低电压供电设计,还有助于优化系统的整体功耗表现。当您需要一颗性能扎实、供应稳定、能无缝融入既有设计的DDR内存时,MT46V32M8FG-6 IT:G TR无疑是那个能让您安心、省心的智慧之选。
- 型号:MT46V32M8FG-6 IT:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA(8x14)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA(8x14)
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