




MT46V128M4BN-6:D TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:存储器,产品封装:60-TFBGA
- 技术参数:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT46V128M4BN-6:D TR参数详情:
在追求极致性能的嵌入式系统设计中,您是否曾为寻找一颗稳定可靠、能应对严苛实时数据吞吐挑战的存储核心而反复权衡?今天,我们为您带来的MT46V128M4BN-6:D TR,正是这样一款历经市场验证的DDR SDRAM解决方案,它或许已宣告停产,但其卓越的稳定性和成熟的生态系统,使其成为众多经典项目升级与维护的“定海神针”。
想象一下,在工业控制、网络通信或高端消费电子设备中,系统需要以高达167MHz的时钟频率,持续、流畅地处理海量数据流。这正是MT46V128M4BN-6:D TR大显身手的舞台。它拥有512Mb(128M x 4)的存储容量和并联接口,如同一个高速、宽敞的数据中转站,能轻松应对突发性的大数据读写需求,700ps的极快访问时间和仅15ns的写周期时间,意味着指令下达与数据响应几乎同步,彻底消除系统因等待数据而产生的性能瓶颈,让您的设备运行如行云流水般顺畅。
选择这颗芯片,不仅仅是选择了一个存储器组件,更是选择了一份经久耐用的品质承诺。其2.3V至2.7V的宽电压供电范围和0°C至70°C的工作温度,确保了它在各种复杂供电环境和温度条件下都能稳定工作,表面贴装的60-TFBGA封装也为主板节省了宝贵空间。对于正在维护或升级现有系统的工程师而言,通过可靠的美光代理商获取这颗芯片,意味着能够无缝延续产品的生命周期,保障生产与服务的连续性,无需为重新设计、重新验证而投入额外成本与时间。它代表的是一种高性价比、低风险的价值延续策略。
因此,当您的项目需要一颗性能扎实、供应稳定、能完美融入成熟架构的DDR内存时,MT46V128M4BN-6:D TR无疑是经过时间淬炼的智慧之选。它承载着美光科技的尖端工艺与可靠基因,虽已停产,但其价值在特定的应用生态中愈发凸显,是助力经典产品持续焕发活力的关键基石。
- 制造商产品型号:MT46V128M4BN-6:D TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb(128M x 4)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167MHz
- 写周期时间-字,页:15ns
- 访问时间:700ps
- 电压-供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:60-TFBGA
- MT46V128M4BN-6:D TR的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















