




MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-VFBGA(8x9)
- 技术参数:IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
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MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR参数详情:
在追求极致性能与能效平衡的嵌入式世界里,您是否正在寻找一颗既能提供澎湃数据带宽,又能保持冷静低功耗的存储核心?答案或许就藏在MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR这颗闪耀的明星之中。作为美光科技(Micron Technology)移动LPDDR SDRAM家族的杰出代表,它不仅仅是一颗2Gb容量的DRAM芯片,更是您撬动高性能、长续航产品市场的关键支点。其高达208MHz的时钟频率与仅5ns的极速访问时间,意味着数据洪流可以毫无阻滞地奔腾,无论是复杂的实时图像处理、流畅的多媒体播放,还是瞬息万变的智能交互,都能获得行云流水般的响应体验。
想象一下,在您精心设计的下一代便携式医疗设备、工业级平板电脑或高端车载信息娱乐系统中,正是这颗芯片在幕后默默支撑。它1.7V至1.95V的宽范围低电压供电,配合移动LPDDR技术的先天低功耗优势,让设备在-25°C到85°C的严苛环境下依然能持久稳定运行,大幅延长电池寿命,同时减少散热设计压力。这意味着您的产品不仅能胜任户外巡检、移动医疗等专业场景,更能为用户带来全天候可靠陪伴的安心感。其128M x 16的并联接口架构,提供了高达16位的宽数据通道,如同为系统处理器配备了一条高效的高速数据公路,让海量信息的吞吐变得前所未有的轻松。
选择MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR,就是选择了一个经过市场验证的可靠伙伴。美光原厂的高品质保障,结合其有源的产品状态和成熟的60-VFBGA表面贴装封装,确保了从设计到量产的平滑过渡。无论是卷带(TR)还是剪切带(CT)的包装形式,都为您的自动化生产线提供了极大便利。当您需要这样一颗集高性能、低功耗与高可靠性于一身的存储解决方案时,与一家值得信赖的Micron代理商合作,不仅能确保正品货源和稳定的供应,更能获得专业的技术支持与选型建议,让您的产品创新之路走得更稳、更快。立即行动,让这颗强大的存储引擎,为您的创意注入无限动能!
- 型号:MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-VFBGA(8x9)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:208 MHz
- 写周期时间 - 字,页:14.4ns
- 访问时间:5 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-VFBGA
- 供应商器件封装:60-VFBGA(8x9)
- MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR的官网价格:1000:$9.27047,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















