




MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-VFBGA(8x9)
- 技术参数:IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
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MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR参数详情:
在追求极致性能与能效平衡的嵌入式世界,您是否曾为系统响应速度与功耗的矛盾而困扰?当您的设计需要在严苛环境下稳定运行,同时保持流畅的数据吞吐,MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR的出现,正是为破解这一难题而生。这颗来自美光科技的移动LPDDR SDRAM,以其2Gb(128M x 16)的并行架构,在1.7V至1.95V的低电压区间内,迸发出高达208MHz的时钟频率,配合低至5ns的访问时间,意味着它能以闪电般的速度响应处理器指令,让数据洪流在您的系统中畅通无阻,瞬间点燃应用的活力。
想象一下,在工业自动化产线上,视觉检测系统需要实时处理海量图像数据;在车载信息娱乐系统中,多屏互动与高清导航要求内存提供持续稳定的带宽支持;在户外通信基站或物联网网关中,设备需要在-40°C到85°C的宽温范围内全天候可靠工作。这正是MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR大显身手的舞台。它采用的60-VFBGA小型化封装,非常适合空间紧凑的便携式设备与高密度板卡设计,而其卷带(TR)与剪切带(CT)的包装选项,则为大规模自动化生产提供了极大便利,有效提升您的生产效率并降低综合成本。
选择它,不仅仅是选择了一颗高性能存储器,更是选择了一份值得信赖的承诺。美光科技作为全球存储领袖,其产品以卓越的品质和一致性著称。当您通过可靠的美光代理商获取这颗芯片时,您获得的不仅是产品本身,还有从技术选型支持到稳定供应链保障的全方位服务。它将让您的产品在激烈的市场竞争中,凭借更快的响应、更低的功耗、更广的适用温度范围和更可靠的表现脱颖而出。无论是加速产品上市进程,还是构建面向未来的高性能平台,MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR都是您不容错过的智慧之选,助您轻松驾驭数据,赢在未来。
- 型号:MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-VFBGA(8x9)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:208 MHz
- 写周期时间 - 字,页:14.4ns
- 访问时间:5 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-VFBGA
- 供应商器件封装:60-VFBGA(8x9)
- MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















