




MT45W8MW16BGX-708 WT TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:54-VFBGA(8x10)
- 技术参数:IC PSRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT45W8MW16BGX-708 WT TR参数详情:
在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统中,您是否曾为内存的响应速度与功耗平衡而困扰?当传统方案难以满足严苛的实时性要求时,MT45W8MW16BGX-708 WT TR的出现,正是为了破解这一难题。这颗来自美光科技的128Mb PSRAM芯片,以其独特的伪静态随机存取存储器技术,在易失性存储领域开辟了一条高效能、低延迟的新路径。它不仅仅是一个存储组件,更是您系统流畅运行的加速引擎,让数据吞吐变得前所未有的迅捷。
想象一下,在工业自动化控制面板上,复杂的指令集需要被瞬间读取与执行;在便携式医疗设备中,生命体征数据要求被实时、无误地记录与处理;或在车载信息娱乐系统里,多任务切换必须丝滑流畅,毫无卡顿。这些正是MT45W8MW16BGX-708 WT TR大显身手的舞台。其80MHz的时钟频率与70ns的超快访问/写周期时间,确保了数据流的畅通无阻,如同为系统注入了澎湃动力。1.7V至1.95V的低电压供电,在提供强劲性能的同时,显著优化了整体能耗,特别适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。其宽泛的-30°C至85°C工作温度范围,更是赋予了产品在恶劣环境下稳定运行的坚韧品质。
选择这颗芯片,意味着您选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。它采用成熟的54-VFBGA封装与表面贴装工艺,便于集成与生产。尽管该型号已处于停产状态,但通过可靠的美光中国代理渠道,您依然可以获取高质量的货源,为现有产品线的维护或特定项目的需求提供坚实保障。它将美光在存储领域的深厚技术积淀,转化为您产品竞争力的直观优势。无论是升级现有设计还是开发新一代设备,MT45W8MW16BGX-708 WT TR都能以其并行接口带来的高带宽和PSRAM特有的“类SRAM”简易操作特性,让您的开发工作更加得心应手,最终交付给用户的是响应迅捷、体验卓越的终端产品。
- 型号:MT45W8MW16BGX-708 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA(8x10)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM(伪 SRAM)
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:80 MHz
- 写周期时间 - 字,页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA(8x10)
- MT45W8MW16BGX-708 WT TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















