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MT45W1MW16BDGB-708 AT TR供应商
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MT45W1MW16BDGB-708 AT TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:54-VFBGA(6x8)
- 技术参数:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT45W1MW16BDGB-708 AT TR参数详情:
在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统中,您是否曾为存储方案的选择而困扰?既要满足高速数据吞吐的需求,又要兼顾功耗与成本的控制,这似乎是一个难以平衡的难题。现在,让我们向您隆重介绍一个经过市场验证的可靠解决方案MT45W1MW16BDGB-708 AT TR。这颗来自美光科技的16Mb PSRAM芯片,以其独特的伪静态随机存取存储器技术,在易失性存储领域树立了高效与可靠的标杆。它不仅仅是一个存储元件,更是您系统流畅运行的坚实保障。
想象一下,在工业自动化控制面板、车载信息娱乐系统或是便携式医疗设备中,系统需要快速响应指令并处理实时数据。MT45W1MW16BDGB-708 AT TR正是为此类场景而生。其70ns的快速访问与写入周期时间,确保了数据交换的即时性,让您的设备告别卡顿,操作如行云流水。宽广的-40°C至105°C工作温度范围,意味着无论面对严寒的户外环境还是设备内部的高温考验,它都能稳定工作,极大地提升了终端产品的环境适应性与可靠性。这种坚韧的品质,正是通过我们美光授权代理所提供的正品渠道得以保证。
当您为项目选型时,理由可以非常明确。选择这颗芯片,意味着您选择了一个经过全球顶尖制造商美光科技设计和验证的成熟方案。1.7V至1.95V的低电压供电,直接助力于延长电池供电设备的续航时间。其54-VFBGA的紧凑封装,为PCB布局节省了宝贵空间,让您的产品设计更加纤薄精巧。尽管该型号已进入停产状态,但其卓越的性能和广泛的适用性,使其成为许多现有产品升级或长期稳定供货需求的绝佳选择。它代表了一种经典而高效的设计哲学,能够无缝融入您的系统架构,化繁为简,直接提升产品的整体市场竞争力。
- 型号:MT45W1MW16BDGB-708 AT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA(6x8)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM(伪 SRAM)
- 存储容量:16Mb
- 存储器组织:1M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA(6x8)
- MT45W1MW16BDGB-708 AT TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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