MT44K64M18RB-107E:A TR

在追求极致性能的网络与通信设备领域，您是否还在为数据吞吐的瓶颈而困扰？当海量数据需要被实时处理和分析时，传统的存储方案往往力不从心。现在，让我们为您介绍一个能够彻底改变游戏规则的解决方案MT44K64M18RB-107E:A TR。这颗来自美光科技的RLDRAM 3存储器，以其高达933MHz的时钟频率和惊人的8ns访问时间，为您的高速应用注入澎湃动力，让数据流如高速公路般畅通无阻。

想象一下，在下一代核心路由器、高性能网络交换机或先进的测试测量设备中，每一纳秒的延迟都至关重要。MT44K64M18RB-107E:A TR正是为此类严苛场景而生。其1.125Gb（64Mb x 18）的并联接口容量，完美适配需要大带宽、低延迟缓存的系统架构。无论是处理不断增长的网络流量，还是加速数据中心内的关键运算，它都能确保数据被迅速存取，显著提升整体系统的响应速度和效率，让您的设备在激烈的市场竞争中始终保持领先。

选择MT44K64M18RB-107E:A TR，意味着您选择了一种经过验证的可靠性和面向未来的性能。它采用168-TBGA表面贴装封装，在0°C至95°C的宽温度范围内稳定工作，并支持1.28V至1.42V的供电电压，兼具高性能与优异的能效表现。这颗芯片不仅仅是一个组件，更是您构建高性能、高可靠性系统的基石。当您需要将这样的尖端技术集成到您的设计中时，与一个值得信赖的Micron代理商合作至关重要，他们能为您提供正品保障、技术支持和稳定的供应链，确保您的创新之旅毫无后顾之忧。立即拥抱RLDRAM 3技术，让MT44K64M18RB-107E:A TR成为您撬动性能巅峰的杠杆。

• 型号:MT44K64M18RB-107E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K64M18RB-107E:A TR的官网价格：2000:$68.65320，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。