MT44K16M36RB-107E:B TR

在追求极致性能的嵌入式系统设计中，您是否曾因内存带宽瓶颈而限制了整体方案的潜力？当数据洪流需要被高速吞吐时，MT44K16M36RB-107E:B TR的出现，正是为了打破这一桎梏，为您带来前所未有的流畅体验。这款来自美光科技的并行DRAM，以其高达933MHz的时钟频率和8ns的极速访问时间，瞬间点燃数据处理引擎，让您的系统响应如闪电般迅捷，轻松应对最严苛的实时计算任务。

想象一下，在工业自动化产线上，视觉检测系统需要瞬间处理海量图像数据；或在高端网络设备中，数据包必须以零延迟的速度进行交换与路由。这正是MT44K16M36RB-107E:B TR大显身手的舞台。其576Mb（16M x 36）的大容量与并联接口设计，构成了一个宽阔而高效的数据高速公路，完美适配于需要高带宽、低延迟的复杂应用场景，如通信基础设施、高性能计算加速卡、专业级视频处理设备等。它不仅是存储单元，更是系统性能的强力助推器。

选择这颗芯片，意味着您选择了一个稳定可靠的性能基石。其1.28V至1.42V的宽电压供电范围与0°C至95°C的宽温工作能力，确保了在各种严苛环境下依然稳定运行，大大提升了终端产品的环境适应性与可靠性。表面贴装的168-TBGA封装，也为主板设计提供了高集成度的便利。更重要的是，通过我们美光授权代理，您不仅能获得原厂正品保障和具有竞争力的价格，更能得到从选型支持到供应稳定的全链条服务。让MT44K16M36RB-107E:B TR成为您下一代旗舰产品的核心记忆，释放无限潜能，赢得市场先机。

• 型号:MT44K16M36RB-107E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K16M36RB-107E:B TR的官网价格：2000:$49.04900，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。